Транзисторы, диоды и т.д. Транзисторы импортные

Фильтр по названию.

Выбран фильтр: GA_...IPA Показать все

>... >2SA...2SA >2SB...2SB >2SC...2SC >2SD...2SD >2SJ...2SK

>2ST...AP >APM...BC >BCP...BDX >BF_...BSX >BT_...BU >BUD...CEF

>CEP...FDS >FDV...G >GA_...IPA>IPB...IRC >IRF...IRF >IRG...IRK

>IRL...IRL >IRP...MJ >MJB...MMB >MMD...PHE >PHK...RS >RSF...SMP

>SP_...STF >STG...STU >STW...TIP >TK_...YJM >YJP...ZXT

Наименование	Розн. цена	Мин. цена	Нал.	Норм. отп.

GA600HD25S транзистор	25520	25520	П <10шт.

GFB50N03 (N-CHANNEL 50A 30V 62.5W) TO- 262 (D2-PAK) транзистор	135	130	П есть

GFI60N03 транзистор	300	271.57	П >10шт.

GI40T03 TO-251-3 транзистор	130	125	П есть

GT30F122 to220F пластик транзистор	180	158.96	М 63шт.

GP28S50XN247 TO-247 транзистор	475	470	П 1шт.

GP47S60X TO247 транзистор	525	515	П есть

GP60S50X TO247 транзистор	750	724.01	П 8шт.

GP60S50X TO-247AB-3 транзистор	725	715	П есть

GS66504B-E01-MR 650В 15А GaN Systems т ранзистор	7335	7280	П 42шт.	2

GT30F122 TO-220 транзистор	260	255	П 2шт.

GT30F123 to220F пластик транзистор	165	160	М 2шт.

GT30F122 TO220F транзистор	225	211.63	П 4шт.

GT30G122 (IGBT 400V,30A) TO-220F транз истор	250	245	П есть

GT30G122 to220F пластик транзистор	170	159.47	П 15шт.

GT30F124 to220F пластик транзистор	44	36.41	М 207шт.

GT30J122 A to-3P транзистор	190	185	П есть

GT30J122 TO-3P(N)IS транзистор	675	660	П есть

GA600GD25SVA 0415 DBC3849 IGBT транз.д емонтаж транзистор	9395	9320	П 1шт.

GT30G124 to220F пластик Toshiba транзи стор	125	120	М 4шт.

GT30G123 to220F пластик транзистор	300	261.23	П 96шт.

GT30J124 to220F пластик Toshiba транзи стор	160	130.86	М 102шт.

GT30J124 to220F пластик Китай демонтаж транзистор	97	82.7	М 217шт.

GT30J124 to220F пластик транзистор	180	160.34	М 34шт.

GT30F124 TO220F транзистор	285	257.85	П 12шт.

GT30F125 to220F пластик транзистор	175	165.33	М 7шт.

GT30F124 TO-220F-3 транзистор	175	170	П есть

GT30G124 (Power IGBT 200A 430V) TO-220 F транзистор	225	220	П есть

GT30F126 to220F пластик транзистор	230	197.97	М 23шт.

GT30F131 d2pak,to-263 (склад23) транзи стор	240	227.1	М 6шт.

GT30F131 d2pak,to-263 Toshiba (склад 3 2) транзистор	215	183.91	М 25шт.

GT30F131 d2pak,to-263 Toshiba транзист ор	165	144.56	М 60шт.

GT30F126 (30F126) (IGBT 330V,200A Disc rete IGBT) TO-220F транзистор	245	240	П есть

GT30F131 d2pak,to-263 Китай транзистор	49	40.82	М 112шт.

GT30J127 TO220 транзистор	205	182.24	П 14шт.

GT30F131 to220F пластик транзистор	140	135	М 2шт.

GT30F131 (30F131) (IGBT 360V,200A Disc rete IGBT TO-220SM(MXN)) TO-263 (D2-PA K) транзистор	195	190	П есть

GT30J122 2-16F1A транзистор	375	355	П есть

GT30F131 TO-220F TO-263S транзистор	170	159.61	П 5шт.

GT30F132 D2PAK TO263 транзистор	210	205	П есть

GT30F123 TO-220SIS транзистор	235	216.18	П 3шт.

GT30F132 d2pak,to-263 транзистор	215	202.5	П 3шт.

GT30F124 (30F124) TO-220SIS транзистор	225	215	П есть

GT35J321 to-3P Toshiba транзистор	505	440.42	М 58шт.

GT30F133 TO-252 транзистор	195	190	П есть

GT30J321 транзистор	665	650	П есть

GT30J322 (Q) (30A, 600V) (IGBT 600V,30 A,15W с диодом with diode) 2-16F1A тра нзистор	700	690	П есть

GT30F126 TO-220F-3 транзистор	230	225	П есть

GT35J321 (IGBT 600V,50A с диодом with diode) 2-16F1A транзистор	635	625	П есть

GT40KM8 TO220F транзистор	400	395	П есть

GT45F122 to220F пластик транзистор	160	146.39	М 5шт.

GT40WR21 TO-3P(N)-3 транзистор	710	700	П есть

GT40RR22 TO-3P(N) транзистор	445	440	П есть

GT40Q321 2-16C1A транзистор	355	350	П есть

GT45G122 to220F пластик транзистор	235	230	М 1шт.

GT40Q321 2-16C1C транзистор	275	270	П есть

GT45F122 (IGBT 300V,200A,25W,Usat=2.7V ) TO-220F транзистор	310	305	П есть

GT45F122 TO-220SIS транзистор	260	255	П есть

GT45G122 (45G122) TO-220SIS транзистор	170	165	П есть

GT45G128 to220F пластик транзистор	205	200	М 2шт.

GT45G122 (IGBT 400V,200A,25W,Usat=2.7V ) TO-220F транзистор	395	390	П есть

GT30F131 TO-220F-3 транзистор	145	140	П есть

GT45G122 TO-220SIS транзистор	275	259.02	П 4шт.

GT45F124 TO-220 транзистор	470	448.85	П 3шт.

GT50JR22 to-3P транзистор	130	112.39	М 94шт.

GT45F124 TO-220F-3 транзистор	295	290	П есть

GT30F133 DPAK транзистор	245	230.38	П 5шт.

GT30F133 TO-220F-3 транзистор	210	200	П есть

GT30F133 TO-252 DPAK транзистор	155	150	П есть

GT45F132 TO263 транзистор	165	160	П 1шт.

GT50N322 (A) to-3P транзистор	670	587.86	М 39шт.

GT50JR22 (50A,600V) (N-Channel IGBT 60 0V 50A) to-3P транзистор	490	485	П есть

GT40WR21 TO3P транзистор	855	845	П 1шт.

GT50JR22 to-3P Toshiba (=60N60SMD) тра нзистор	540	530	П есть

GT30J322 х транзистор	810	749.05	П 9шт.

GT50JR22 TO-3P-3 транзистор	240	235	П есть

GT50J101 2-21F2C транзистор	350	319.86	П 15шт.

GT50J327 to-3P транзистор	465	447.38	М 4шт.

GT40RR21 TO3P транзистор	715	642.66	П 11шт.

GT50N322(A) (40A,1000V) (IGBT 1000V,40 A с диодом with diode) TO-3P транзисто р	835	825	П есть

GT50N322(A) TO-3PB транзистор	675	665	П есть

GT50N324 TO3PB транзистор	595	585	П есть

GT50J325 (IGBT 600V,50A, 240W, 0.05 uS с диодом with diode) 2-21F2C транзист ор	2710	2665	П есть

GT60N321 2-21F2C транзистор	745	730	М 2шт.

GT55N06D5 DFN5X6-8L GOFORD транзистор	57	55	П 43шт.	100

GT60M303 (60A,900V) (IGBT 900V,60A с д иодом with diode) TO-264 транзистор	1160	1145	П есть

GT60M303 транзистор	525	480.94	П 14шт.

GT60N321 (Q) (60A, 1000V) (IGBT 1000V, 60A с диодом with diode) 2-21F2C транз истор	1040	1025	П есть

GT60N322 2-21F2C транзистор	830	820	П есть

GW30N120KD (STGW30N120KD) (30A,1200V) (IGBT 1200V,30A, 175W, 10uS с диодом w ith diode) TO-247 транзистор	650	640	П есть

GW40V60DF (40A,600V) (IGBT 600V,40A,Tr ench gate field-stop IGBT с диодом wit h diode) TO-247 транзистор	750	740	П есть

GT45F128 (45F128) TO-220SIS транзистор	230	225	П есть

GW60V60DF (60A,600V) (IGBT 600 V,60A,t rench gate field-stop very high speed с диодом with diode) TO-247 транзистор	1160	1150	П есть

H5N2307 TO-263 транзистор	320	292.45	П 18шт.

H20R1202 to-247 транзистор	345	316.88	М 13шт.

H20R1203 to-247 (IHW20N120R3) транзист ор	190	170.37	М 43шт.

H20R1353 to-247 (=IHW20N135R3) транзис тор	1265	1245	М 1шт.

H649 A to-126ML транзистор	49	43.27	М 21шт.

H11G1SM SMDIP6 ON транзистор	615	536.68	П 660шт.	10

H15R1203 to-247 транзистор	180	175	П есть