Транзисторы, диоды и т.д. Транзисторы импортные

Фильтр по названию.

Выбран фильтр: G__...IMX Показать все

>... >2SA...2SA >2SB...2SB >2SC...2SC >2SD...2SD >2SJ...2SK

>2ST...AP >APM...B >BC_...BC >BCP...BDX >BF_...BSX >BT_...BU

>BUD...CEF >CEP...FDS >FDV...FZT >G__...IMX>IPA...IRC >IRF...IRF

>IRG...IRK >IRL...IRL >IRP...MJ >MJB...MMB >MMD...PHN >PHP...RSH

>RSM...SMP >SP_...STF >STG...STU >STW...TIP >TK_...YJM >YJP...ZXT

Наименование	Розн. цена	Мин. цена	Нал.	Норм. отп.

G7N60A4D d2pak,to-263 транзистор	185	180	П 3шт.

G8N80F TO-220F T&R RoHS Goford Semicon ductor транзистор	78	66.02	П 950шт.	50

G16P03S SOP-8 GOFORD транзистор	41	33.41	П 35000шт.	30

G30N60 (SGP30N60) (IGBT 600V,30A,2.5V, 150°C) TO-220 транзистор	480	475	П есть

G30N60HS (SGP30N60HS) (IGBT 600V,30A,2 50W,30KHz без диода) TO-220 транзистор	305	300	П есть

G30N60HS (SGW30N60HS,HGTG30N60HS) (IGB T 600V,30A без диода High Speed IGBT i n NPT-technology) TO-247 транзистор	660	650	П есть

G30T60 (IGW30N60T) AC to-247 транзисто р	650	568.59	П 43шт.

G47N60S (SiHG47N60S,FMH47N60S1,SPW47N6 0S5,47N60S) (Power Transistor Vds=600V ,Ids=47A,Rds=0,07 Om c диодом) TO-247 транзистор	1115	1100	П есть

G60N100B TO264 60A 1000V IGBT- на свар очн.аппарат 3фазн. транзистор	955	945	П 1шт.

G60N100BNTD (FGL60N100BNTDTU) (IGBT 10 00V,60A,72W NPT Trench IGBT с диодом w ith diode) 2-21F2C транзистор	1040	1025	П есть

G60N100BNTD TO-264-3 транзистор	820	810	П есть

G80N60UFD (IGBT 600V,80A,195W с диодом with diode) TO-3P транзистор	680	665	П есть

G160N60UF (SGL160N60UF) (IGBT 600V,160 A,250W) TO-264 транзистор	1210	1195	П есть

GA600GD25SVA 0415 DBC3849 IGBT транз.д емонтаж транзистор	9395	9320	П 1шт.

GA600HD25S транзистор	25520	25520	П <10шт.

GFB50N03 (N-CHANNEL 50A 30V 62.5W) TO- 262 (D2-PAK) транзистор	135	130	П есть

GFI60N03 транзистор	300	271.57	П >10шт.

GI40T03 TO-251-3 транзистор	115	105	П есть

GP28S50XN247 TO-247 транзистор	475	470	П 1шт.

GP47S60X TO247 транзистор	415	410	П есть

GP60S50X TO247 транзистор	750	724.01	П 8шт.

GP60S50X TO-247AB-3 транзистор	605	595	П есть

GS66504B-E01-MR 650В 15А GaN Systems т ранзистор	7275	7220	П 42шт.	2

GT30F122 TO-220 транзистор	260	255	П 2шт.

GT30F122 to220F пластик транзистор	180	158.96	М 63шт.

GT30F122 TO220F транзистор	225	220	П 1шт.

GT30G122 (IGBT 400V,30A) TO-220F транз истор	250	245	П есть

GT30G122 to220F пластик транзистор	140	129.24	П 15шт.

GT30J122 2-16F1A транзистор	255	250	П есть

GT30J122 A to-3P транзистор	160	155	П есть

GT30J122 TO-3P(N)IS транзистор	675	660	П есть

GT30F123 to220F пластик транзистор	165	160	М 2шт.

GT30F123 TO-220SIS транзистор	170	157.79	П 15шт.

GT30G123 to220F пластик транзистор	300	261.23	П 96шт.

GT30F124 (30F124) TO-220SIS транзистор	195	190	П есть

GT30F124 to220F пластик транзистор	44	36.41	М 207шт.

GT30F124 TO220F транзистор	285	268.17	П 9шт.

GT30F124 TO-220F-3 транзистор	145	140	П есть

GT30G124 (Power IGBT 200A 430V) TO-220 F транзистор	225	220	П есть

GT30G124 to220F пластик Toshiba транзи стор	125	120	М 4шт.

GT30J124 to220F пластик Toshiba транзи стор	160	130.86	М 102шт.

GT30J124 to220F пластик Китай демонтаж транзистор	97	82.7	М 217шт.

GT30J124 to220F пластик транзистор	180	160.34	М 58шт.

GT30F125 to220F пластик транзистор	175	165.33	М 6шт.

GT30F126 (30F126) (IGBT 330V,200A Disc rete IGBT) TO-220F транзистор	245	240	П есть

GT30F126 to220F пластик транзистор	230	197.97	М 23шт.

GT30F126 TO-220F-3 транзистор	185	180	П есть

GT30J127 TO220 транзистор	205	182.24	П 13шт.

GT30F131 (30F131) (IGBT 360V,200A Disc rete IGBT TO-220SM(MXN)) TO-263 (D2-PA K) транзистор	195	190	П есть

GT30F131 d2pak,to-263 (склад23) транзи стор	240	227.1	М 6шт.