Транзисторы, диоды и т.д. Транзисторы импортные

Фильтр по названию.

Выбран фильтр: STB...STN Показать все

>... >2SA...2SA >2SB...2SB >2SC...2SC >2SD...2SD >2SJ...2SK

>2ST...AOU >AP_...B >BC_...BC >BCP...BDX >BF_...BT >BTA...BU

>BUD...CEP >CES...FDS >FF_...G >GA_...IPD >IPP...IRC >IRF...IRF

>IRG...IRL >IRP...MIP >MJ_...MM >MMB...NGT >NID...RG >RJH...SHF

>Si_...ST >STB...STN>STP...T >TCE...TP >TPC...ZXT

Наименование	Розн. цена	Мин. цена	Нал.	Норм. отп.

STGW60V60 DF to-247 транзистор	485	372.62	М 5шт.

STGW60V60DF (GW60V60DF) TO-247 транзис тор	800	691.77	П есть

STH6NA80FI TO-3PF транзистор	340	284.63	П 2шт.

STH8N80FI ISOWATT218 транзистор	325	272.84	П есть

STK001SF SOT-23 AUK SEMI транзистор	34	20.78	П 3977шт.	3000

STK003SF SOT-23 AUK SEMI транзистор	34	20.73	П 17010шт.	3000

STK5D4-361D транзистор	4325	4199.3	П 1шт.

STK392-010 (Гибридная схема на безкорп усных ах с лазерной подгонкой сопротив лений.Используется для изготовления ус илителей мощности.) HYB транзистор	2735	2530.75	П есть

STK392-040 (Гибридная схема на безкорп усных ах с лазерной подгонкой сопротив лений.Используется для изготовления ус илителей мощности.) SIP-22-4086(A) тра нзистор	1310	1165.92	П есть

STK392-120 (Гибридная схема на безкорп усных ах с лазерной подгонкой сопротив лений.Используется для изготовления ус илителей мощности.) HYB транзистор	1630	1479.87	П есть

STK407-040 (Гибридная схема на безкорп усных ах с лазерной подгонкой сопротив лений.Используется для изготовления ус илителей мощности.) SIP-15-4xxx транзи стор	1395	1244.91	П есть

STK411-200E (Гибридная схема на безкор пусных ах с лазерной подгонкой сопроти влений.Используется для изготовления у силителей мощности.) SIP-22 транзистор	2290	2112.75	П есть

STK411-220E (D) (Гибридная схема на бе зкорпусных ах с лазерной подгонкой соп ротивлений.Используется для изготовлен ия усилителей мощности.) SIP-22 транзи стор	2290	2112.75	П есть

STK0460 транзистор	125	85.58	П 4шт.

STK0460F TO-220F-3 транзистор	110	76.39	П есть

STK0760 TO220F транзистор	120	85.07	П 1шт.

STK0760 TO-220F-3L транзистор	155	110.89	П есть

STK795-518 (Гибридная схема на безкорп усных ах с лазерной подгонкой сопротив лений.Используется для изготовления ус илителей мощности.) транзистор	4625	4490.24	П есть

STK795-811A (YPDD-J014A) (Гибридная сх ема на безкорпусных ах с лазерной подг онкой сопротивлений.Используется для и зготовления усилителей мощности.) HYB транзистор	2685	2482.61	П есть

STK795-813 (Гибридная схема на безкорп усных ах с лазерной подгонкой сопротив лений.Используется для изготовления ус илителей мощности.) транзистор	2615	2418.26	П есть

STK795-814 (Гибридная схема на безкорп усных ах с лазерной подгонкой сопротив лений.Используется для изготовления ус илителей мощности.) транзистор	2975	2883.54	П есть

STK0850 TO-220F-3L транзистор	220	185.18	П есть

STM4439 SO8 транзистор	460	388.67	П есть

STM4439 so-8 транзистор	505	388.93	М 4шт.

STM4439A SO8 транзистор	215	175.78	П есть