Транзисторы, диоды и т.д. Транзисторы импортные

Фильтр по названию.

Выбран фильтр: GA_...IPD Показать все

>... >2SA...2SA >2SB...2SB >2SC...2SC >2SD...2SD >2SJ...2SK

>2ST...AOU >AP_...B >BC_...BC >BCP...BDX >BF_...BT >BTA...BU

>BUD...CEP >CES...FDS >FF_...G >GA_...IPD>IPP...IRC >IRF...IRF

>IRG...IRL >IRP...MIP >MJ_...MM >MMB...NID >NJL...RJH >RJK...SHF

>Si_...ST >STB...STN >STP...T >TCE...TLP >TMP...ZXT

Наименование	Розн. цена	Мин. цена	Нал.	Норм. отп.

GT30J322 (Q) (30A, 600V) (IGBT 600V,30 A,15W с диодом with diode) 2-16F1A тра нзистор	725	623.75	П есть

GT30J322 2-16F1A транзистор	775	620.98	П 6шт.

GT35J321 (IGBT 600V,50A с диодом with diode) 2-16F1A транзистор	660	563.52	П есть

GT35J321 to-3P Toshiba транзистор	560	372.98	М 58шт.

GT40KM8 TO220F транзистор	425	357.43	П есть

GT40RR22 TO-3P(N) транзистор	535	456.76	П есть

GT40Q321 2-16C1A транзистор	370	311.92	П есть

GT40Q321 2-16C1C транзистор	310	260.98	П есть

GT45F122 (IGBT 300V,200A,25W,Usat=2.7V ) TO-220F транзистор	315	264.17	П есть

GT45F122 to220F пластик транзистор	230	153.75	М 7шт.

GT45F122 TO-220SIS транзистор	305	254.38	П есть

GT45G122 (45G122) TO-220SIS транзистор	210	168.47	П есть

GT45G122 (IGBT 400V,200A,25W,Usat=2.7V ) TO-220F транзистор	400	337.8	П есть

GT45G122 to220F пластик транзистор	300	248.93	М 1шт.

GT45G122 TO-220SIS транзистор	300	234.41	П 5шт.

GT45F124 TO-220 транзистор	520	412.42	П 3шт.

GT45G128 to220F пластик транзистор	260	195.19	М 3шт.

GT45F132 TO263 транзистор	195	153.78	П 1шт.

GT50JR22 (50A,600V) (N-Channel IGBT 60 0V 50A) to-3P транзистор	505	429.49	П есть

GT50JR22 to-3P Toshiba (=60N60SMD) тра нзистор	925	626.08	П 99шт.

GT50JR22 to-3P транзистор	320	208.54	М 28шт.

GT50JR22 TO-3P-3 транзистор	395	334.13	П есть

GT50J101 2-21F2C транзистор	385	277.94	П 15шт.

GT50J322 (Q) (IGBT 600V,50A с диодом w ith diode) TO-264 транзистор	1090	957.56	П есть

GT50N322 (A) to-3P транзистор	860	674.71	М 4шт.

GT50N322(A) (40A,1000V) (IGBT 1000V,40 A с диодом with diode) TO-3P транзисто р	845	730.86	П есть

GT50N322(A) TO-3PB транзистор	715	612.79	П есть

GT50J325 2-21F1A транзистор	895	775.43	П 2шт.

GT50J327 2-16C1A транзистор	545	465.33	П есть

GT50J327 to-3P транзистор	595	459.66	М 3шт.

GT55N06D5 DFN5X6-8L GOFORD транзистор	170	124.91	П 5000шт.	200

GT60M303 (60A,900V) (IGBT 900V,60A с д иодом with diode) TO-264 транзистор	1225	1085.63	П есть

GT60M303 транзистор	590	430.21	П 15шт.

GT60N321 (Q) (60A, 1000V) (IGBT 1000V, 60A с диодом with diode) 2-21F2C транз истор	1090	957.56	П есть

GT60N321 2-21F2C транзистор	980	702.71	М 10шт.

GT60N322 2-21F2C транзистор	995	870.02	П есть

GW30N120KD (STGW30N120KD) (30A,1200V) (IGBT 1200V,30A, 175W, 10uS с диодом w ith diode) TO-247 транзистор	665	568.27	П есть

GW40V60DF (40A,600V) (IGBT 600V,40A,Tr ench gate field-stop IGBT с диодом wit h diode) TO-247 транзистор	780	670.65	П есть

GW60V60DF (60A,600V) (IGBT 600 V,60A,t rench gate field-stop very high speed с диодом with diode) TO-247 транзистор	1230	1086.09	П есть

H5N2307 TO-263 транзистор	355	230.72	П 25шт.

H5N3011P (H5N3011) TO-3P транзистор	410	347.33	П есть

H5N3011P TO-3P транзистор	610	520.99	П 1шт.

H11G1SM SMDIP6 ON транзистор	795	536.04	П 780шт.	10

H15R1203 to-247 транзистор	205	161.35	П есть

H20PR5 транзистор	320	269.79	П есть

H20R1202 to-247 транзистор	440	336.07	М 4шт.

H20R1203 to-247 (IHW20N120R3) транзист ор	210	140.67	М 83шт.

H20R1353 to-247 (=IHW20N135R3) транзис тор	1635	1114.28	М 30шт.

H649 A to-126ML транзистор	51	27.77	М 23шт.

H669 A to-126ML транзистор	51	31.12	М 19шт.