Транзисторы, диоды и т.д. Транзисторы импортные

Фильтр по названию.

Выбран фильтр: GA_...IPD Показать все

>... >2SA...2SA >2SB...2SB >2SC...2SC >2SD...2SD >2SJ...2SK

>2ST...AOU >AP_...B >BC_...BC >BCP...BDX >BF_...BT >BTA...BU

>BUD...CEP >CES...FDS >FF_...G >GA_...IPD>IPP...IRC >IRF...IRF

>IRG...IRL >IRP...MIP >MJ_...MM >MMB...NGT >NID...RG >RJH...SHF

>Si_...ST >STB...STN >STP...T >TCE...TP >TPC...ZXT

Наименование	Розн. цена	Мин. цена	Нал.	Норм. отп.

GA600GD25SVA 0415 DBC3849 IGBT транз.д емонтаж транзистор	10310	10310	П 1шт.

GA600HD25S транзистор	28430	28430	П <10шт.

GFB50N03 (N-CHANNEL 50A 30V 62.5W) TO- 262 (D2-PAK) транзистор	165	122.33	П есть

GFI60N03 транзистор	330	234.72	П >10шт.

GI40T03 TO-251-3 транзистор	165	120.14	П есть

GP28S50XN247 TO-247 транзистор	530	450.38	П 2шт.

GP47S60X TO247 транзистор	555	473.71	П есть

GP60S50X TO247 транзистор	740	637.21	П есть

GP60S50X TO-247AB-3 транзистор	765	660.3	П есть

GS66504B-E01-MR 650В 15А GaN Systems т ранзистор	9685	9434.33	П 42шт.	2

GT20J321 2-10R1C транзистор	400	336.55	П 2шт.

GT20J321 TO220F транзистор	340	284.45	П есть

GT30F122 TO-220 транзистор	280	219.34	П 4шт.

GT30F122 to220F пластик транзистор	240	170.74	М 17шт.

GT30F122 TO220F транзистор	245	159.26	П 20шт.

GT30G122 (IGBT 400V,30A) TO-220F транз истор	250	209.45	П есть

GT30G122 to220F пластик транзистор	215	160.69	П 8шт.

GT30J122 TO-3P(N)IS транзистор	820	707.77	П есть

GT30J122 TO-3P-3 транзистор	550	467.4	П есть

GT30F123 to220F пластик транзистор	235	159.99	М 9шт.

GT30G123 to220F пластик транзистор	360	233.46	П 98шт.

GT30F124 to220F пластик транзистор	84	57.72	М 2шт.

GT30F124 TO220F транзистор	310	202.73	П 24шт.

GT30G124 (Power IGBT 200A 430V) TO-220 F транзистор	210	168.97	П есть

GT30G124 to220F пластик Toshiba транзи стор	200	137.99	М 3шт.

GT30G124 TO220F транзистор	240	200.06	П 2шт.

GT30J124 (IGBT 600V,200А) TO-220F тран зистор	405	342.61	П есть

GT30J124 orig TO220F транзистор	250	209.09	П есть

GT30J124 to220F пластик Toshiba транзи стор	230	152.89	М 6шт.

GT30J124 to220F пластик Китай демонтаж транзистор	97	49.47	М 150шт.

GT30J124 to220F пластик транзистор	180	113.53	М 22шт.

GT30F125 to220F пластик транзистор	240	170.42	М 11шт.

GT30F126 (30F126) (IGBT 330V,200A Disc rete IGBT) TO-220F транзистор	245	204.21	П есть

GT30F126 to220F пластик транзистор	250	185.77	М 11шт.

GT30F126 TO-220F-3 транзистор	235	193.94	П есть

GT30J127 (IGBT ,600V,200A Часто примен яется в плазменных телевизорах (Plasma TV)) TO-220F транзистор	195	149.81	П есть

GT30J127 TO220 транзистор	210	158.59	П 10шт.

GT30F131 (30F131) (IGBT 360V,200A Disc rete IGBT TO-220SM(MXN)) TO-263 (D2-PA K) транзистор	210	167.7	П есть

GT30F131 d2pak,to-263 (склад23) транзи стор	305	229.9	М 6шт.

GT30F131 d2pak,to-263 Toshiba (склад 3 2) транзистор	230	150.18	М 58шт.

GT30F131 d2pak,to-263 Toshiba транзист ор	210	145.2	М 87шт.

GT30F131 d2pak,to-263 Китай транзистор	79	39.36	М 106шт.

GT30F131 TO-220F TO-263S транзистор	205	149.05	П 5шт.

GT30F131 to220F пластик транзистор	220	155.19	М 2шт.

GT30F131 TO-220F-3 транзистор	170	124.21	П есть

GT30F132 D2PAK TO263 транзистор	225	185.61	П есть

GT30F132 d2pak,to-263 транзистор	240	183.92	П 3шт.

GT30F133 TO-252 транзистор	230	190.21	П есть

GT30F133 транзистор	215	172.67	П 2шт.

GT30J321 транзистор	805	695.93	П есть

GT30J322 (Q) (30A, 600V) (IGBT 600V,30 A,15W с диодом with diode) 2-16F1A тра нзистор	725	623.75	П есть

GT30J322 2-16F1A транзистор	775	620.98	П 6шт.

GT35J321 (IGBT 600V,50A с диодом with diode) 2-16F1A транзистор	660	563.52	П есть

GT35J321 to-3P Toshiba транзистор	560	372.98	М 59шт.

GT40KM8 TO220F транзистор	425	357.43	П есть

GT40RR22 TO-3P(N) транзистор	550	466.33	П есть

GT40Q321 2-16C1A транзистор	370	311.92	П есть

GT40Q321 2-16C1C транзистор	315	266.47	П есть

GT45F122 (IGBT 300V,200A,25W,Usat=2.7V ) TO-220F транзистор	315	264.17	П есть

GT45F122 to220F пластик транзистор	230	153.75	М 7шт.

GT45F122 TO-220SIS транзистор	310	259.75	П есть

GT45G122 (45G122) TO-220SIS транзистор	210	171.16	П есть

GT45G122 (IGBT 400V,200A,25W,Usat=2.7V ) TO-220F транзистор	400	337.8	П есть

GT45G122 to220F пластик транзистор	305	251.57	М 1шт.

GT45G122 TO-220SIS транзистор	300	234.41	П 5шт.

GT45F124 TO-220 транзистор	520	412.42	П 3шт.

GT45G128 to220F пластик транзистор	260	195.19	М 3шт.

GT45F132 TO263 транзистор	195	153.78	П 1шт.

GT50JR22 (50A,600V) (N-Channel IGBT 60 0V 50A) to-3P транзистор	505	429.49	П есть

GT50JR22 to-3P Toshiba (=60N60SMD) тра нзистор	925	626.08	П 99шт.

GT50JR22 to-3P транзистор	320	208.54	М 28шт.

GT50JR22 TO-3P-3 транзистор	395	334.13	П есть

GT50J101 2-21F2C транзистор	385	277.94	П 15шт.

GT50J322 (Q) (IGBT 600V,50A с диодом w ith diode) TO-264 транзистор	1090	957.56	П есть

GT50N322 (A) to-3P транзистор	860	674.71	М 4шт.

GT50N322(A) (40A,1000V) (IGBT 1000V,40 A с диодом with diode) TO-3P транзисто р	845	730.86	П есть

GT50N322(A) TO-3PB транзистор	715	612.79	П есть

GT50J325 (IGBT 600V,50A, 240W, 0.05 uS с диодом with diode) 2-21F2C транзист ор	835	724.11	П есть

GT50J325 2-21F1A транзистор	975	849.37	П 2шт.

GT50J327 2-16C1A транзистор	545	465.33	П есть

GT50J327 to-3P транзистор	595	459.66	М 3шт.

GT55N06D5 DFN5X6-8L GOFORD транзистор	170	125.92	П 5000шт.	200

GT60M303 (60A,900V) (IGBT 900V,60A с д иодом with diode) TO-264 транзистор	1225	1085.63	П есть

GT60M303 транзистор	590	430.21	П 15шт.

GT60N321 (Q) (60A, 1000V) (IGBT 1000V, 60A с диодом with diode) 2-21F2C транз истор	1090	957.56	П есть

GT60N321 2-21F2C транзистор	990	710.05	М 10шт.

GT60N322 2-21F2C транзистор	1015	887.86	П есть

GW30N120KD (STGW30N120KD) (30A,1200V) (IGBT 1200V,30A, 175W, 10uS с диодом w ith diode) TO-247 транзистор	665	568.27	П есть

GW60V60DF (60A,600V) (IGBT 600 V,60A,t rench gate field-stop very high speed с диодом with diode) TO-247 транзистор	1230	1086.09	П есть

H5N2307 TO-263 транзистор	355	230.72	П 25шт.

H5N3011P (H5N3011) TO-3P транзистор	420	354.63	П есть

H5N3011P TO-3P транзистор	610	520.99	П 1шт.

H11G1SM SMDIP6 ON транзистор	800	541.13	П 780шт.	10

H15R1203 to-247 транзистор	205	161.35	П есть

H20PR5 транзистор	320	269.79	П есть

H20R1202 to-247 транзистор	440	336.07	М 4шт.

H20R1203 to-247 (IHW20N120R3) транзист ор	210	140.67	М 96шт.

H20R1353 to-247 (=IHW20N135R3) транзис тор	1635	1114.28	М 30шт.

H649 A to-126ML транзистор	51	28.06	М 23шт.

H669 A to-126ML транзистор	52	28.26	М 24шт.