2SB772 (P) to-126 бип ( 3A 40B PNP ) транзистор

2SB772-P транзисторы средней мощности
Характеристики:
Полярность: PNP
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В
Напряжение коллектор-база, не более: 40 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 5 В
Ток коллектора, не более: 3 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 400
Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц
Корпус: TO-126

Тип корпуса: to-126