Описание
Silicon N-Channel MOSFET, Vdss=30V, Id=12A, Pd=1,9W, Rds(on)=7,6 mOhm (This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care)
Похожие товары
BC182 n-p-n 0,35W Uce=50V Ube=60V Ic=100mA транзистор
20,00 ₽
- От 1 - 20,00 ₽
- От 10 шт. - 4,64 ₽
- От 50+ шт. - 3,85 ₽
FGH30 S130P (IGBT 1300V,60A,500W,VCE(sat) to-247 транзистор
580,00 ₽
- От 1 - 580,00 ₽
- От 3+ шт. - 543,03 ₽
GT30F131 d2pak,to-263 Toshiba транзистор
180,00 ₽
- От 1 - 180,00 ₽
- От 5 шт. - 167,80 ₽
- От 20+ шт. - 159,33 ₽
TIP122 to220 металл (КТ8116,КТ899 А) (бип (5А 100В с D hэ1000 NPN S DA) транзистор
28,00 ₽
- От 1 - 28,00 ₽
- От 5 шт. - 22,53 ₽
- От 20+ шт. - 21,08 ₽
