2Т 306 Б to-18 транзистор

Транзисторы 2Т306Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,65 г.
Зарубежный аналог: ST6130. Основные технические характеристики транзистора 2Т306Б:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40…120;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом.

Тип корпуса: to-18