RJH60F7ADPK TO-218 транзистор

280,00 

В наличии есть

999 в наличии

Артикул: -1932089 Категория:
Описание

IGBT Silicon N Channel High Speed Power Switching fast recovery diode IGBT, DC=90A, Vce(on)=1.75V, Pd=329W, V(br)ceo=600V, корпус-TO-3P-3, tmax-150°C