2SD716 to-3P транзистор

2SD716 TO3P — это транзистор в корпусе TO-3P.
Некоторые характеристики:
структура: n-p-n;
напряжение коллектор-эмиттер: не более 100 В;
напряжение коллектор-база: не более 100 В;
напряжение эмиттер-база: не более 5 В;
ток коллектора: не более 6 А;
рассеиваемая мощность коллектора: не более 60 Вт;
коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 55 до 160;
граничная частота коэффициента передачи тока: 12 МГц.

Тип корпуса: to-3P