IRFB31N20 D транзистор
115,00 ₽
В наличии есть
999 в наличии
Описание
- Количество в упаковке: 50 шт.
- Вес: 2.918 г
Технические параметры:
| Тип канала: | N | |
| Максимальное рабочее напряжение: | 200 В | |
| Rdson макс. при Vg 1: | 82мОм @ 10В мОм | |
| Rdson макс. при Vg 2: | 82мОм @ 10В мОм | |
| Ток стока (при Ткорп=25°С): | 31 А | |
| Заряд затвора: | 70 нК | |
| Рассеиваемая мощность: | 200 Вт | |
| Абсолютно максимальное напряжение затвора: | 30 В | |
| Примечания: | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
Похожие товары
2N3055 to-3 (КТ819ГМ) транзистор
210,00 ₽
- От 1 - 210,00 ₽
- От 5 шт. - 195,51 ₽
- От 20 шт. - 184,95 ₽
- От 100+ шт. - 171,18 ₽
FS8205A tssop-8 (код 8205A) транзистор
34,00 ₽
- От 1 - 34,00 ₽
- От 5 шт. - 28,27 ₽
- От 20 шт. - 26,60 ₽
- От 100+ шт. - 25,27 ₽
GT30F131 d2pak,to-263 Toshiba транзистор
180,00 ₽
- От 1 - 180,00 ₽
- От 5 шт. - 167,80 ₽
- От 20+ шт. - 159,33 ₽
STGF7H60 DF to220F пластик ST (код GF7H60DF) транзистор
405,00 ₽
- От 1 - 405,00 ₽
- От 3+ шт. - 385,92 ₽
