IRFB31N20 D транзистор

115,00 

В наличии есть

Артикул: 41309 Категория:
Описание
  • Количество в упаковке: 50 шт.
  • Вес: 2.918 г

Технические параметры:

Тип канала: N
Максимальное рабочее напряжение: 200 В
Rdson макс. при Vg 1: 82мОм @ 10В мОм
Rdson макс. при Vg 2: 82мОм @ 10В мОм
Ток стока (при Ткорп=25°С): 31 А
Заряд затвора: 70 нК
Рассеиваемая мощность: 200 Вт
Абсолютно максимальное напряжение затвора: 30 В
Примечания: HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel