Описание
- Количество в упаковке: 50 шт.
- Вес: 2.918 г
Технические параметры:
| Тип канала: | N | |
| Максимальное рабочее напряжение: | 200 В | |
| Rdson макс. при Vg 1: | 82мОм @ 10В мОм | |
| Rdson макс. при Vg 2: | 82мОм @ 10В мОм | |
| Ток стока (при Ткорп=25°С): | 31 А | |
| Заряд затвора: | 70 нК | |
| Рассеиваемая мощность: | 200 Вт | |
| Абсолютно максимальное напряжение затвора: | 30 В | |
| Примечания: | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
Похожие товары
2N2222A to-92 (KTN2222,PN2222, КТ3117Б) 0,8A 60B NPN 250 МГц транзистор
20,00 ₽
- От 1 - 20,00 ₽
- От 10 шт. - 4,68 ₽
- От 50 шт. - 4,02 ₽
- От 200+ шт. - 3,43 ₽
FGH30 S130P (IGBT 1300V,60A,500W,VCE(sat) to-247 транзистор
1 065,00 ₽
- От 1 - 1 065,00 ₽
- От 3 шт. - 1 004,46 ₽
- От 10 шт. - 927,90 ₽
- От 20+ шт. - 860,14 ₽
HGTG30N60 B3 to-247 транзистор
155,00 ₽
- От 1 - 155,00 ₽
- От 3 шт. - 141,37 ₽
- От 10 шт. - 141,12 ₽
- От 20+ шт. - 140,87 ₽
SAP16 PY TO3P-5L демонтаж транзистор
385,00 ₽
- От 1 - 385,00 ₽
- От 3 шт. - 358,85 ₽
- От 10+ шт. - 333,24 ₽
