Описание
- Количество в упаковке: 50 шт.
- Вес: 2.918 г
Технические параметры:
| Тип канала: | N | |
| Максимальное рабочее напряжение: | 200 В | |
| Rdson макс. при Vg 1: | 82мОм @ 10В мОм | |
| Rdson макс. при Vg 2: | 82мОм @ 10В мОм | |
| Ток стока (при Ткорп=25°С): | 31 А | |
| Заряд затвора: | 70 нК | |
| Рассеиваемая мощность: | 200 Вт | |
| Абсолютно максимальное напряжение затвора: | 30 В | |
| Примечания: | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
Похожие товары
2N3055 to-3 (КТ819ГМ) транзистор
210,00 ₽
- От 1 - 210,00 ₽
- От 5 шт. - 195,51 ₽
- От 20 шт. - 184,95 ₽
- От 100+ шт. - 171,18 ₽
2SC5200+2SA1943 Пара транзистор
365,00 ₽
- От 1 - 365,00 ₽
- От 3 шт. - 347,95 ₽
- От 10 шт. - 331,32 ₽
- От 20+ шт. - 312,32 ₽
FGH30 S130P (IGBT 1300V,60A,500W,VCE(sat) to-247 транзистор
580,00 ₽
- От 1 - 580,00 ₽
- От 3+ шт. - 543,03 ₽
HGTG30N60 B3 to-247 транзистор
225,00 ₽
- От 1 - 225,00 ₽
- От 3 шт. - 213,34 ₽
- От 10 шт. - 205,23 ₽
- От 20+ шт. - 195,59 ₽
