IRFB31N20 D транзистор
115,00 ₽
В наличии есть
999 в наличии
Описание
- Количество в упаковке: 50 шт.
- Вес: 2.918 г
Технические параметры:
| Тип канала: | N | |
| Максимальное рабочее напряжение: | 200 В | |
| Rdson макс. при Vg 1: | 82мОм @ 10В мОм | |
| Rdson макс. при Vg 2: | 82мОм @ 10В мОм | |
| Ток стока (при Ткорп=25°С): | 31 А | |
| Заряд затвора: | 70 нК | |
| Рассеиваемая мощность: | 200 Вт | |
| Абсолютно максимальное напряжение затвора: | 30 В | |
| Примечания: | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
Похожие товары
GT30F131 d2pak,to-263 Toshiba транзистор
180,00 ₽
- От 1 - 180,00 ₽
- От 5 шт. - 167,80 ₽
- От 20+ шт. - 159,33 ₽
HGTG30N60 B3 to-247 транзистор
225,00 ₽
- От 1 - 225,00 ₽
- От 3 шт. - 213,34 ₽
- От 10 шт. - 205,23 ₽
- От 20+ шт. - 195,59 ₽
SAP16 PY TO3P-5L демонтаж транзистор
320,00 ₽
- От 1 - 320,00 ₽
- От 3 шт. - 300,34 ₽
- От 10+ шт. - 282,18 ₽