IRFB31N20 D транзистор

Name: IRFB31N20 D транзистор
SKU: 41309
Availability: InStock

115,00 ₽

В наличии есть

999 в наличии

Артикул: 41309 Категория: Транзисторы импортные

Описание

Технические параметры:

Тип канала:		N
Максимальное рабочее напряжение:		200 В
Rdson макс. при Vg 1:		82мОм @ 10В мОм
Rdson макс. при Vg 2:		82мОм @ 10В мОм
Ток стока (при Ткорп=25°С):		31 А
Заряд затвора:		70 нК
Рассеиваемая мощность:		200 Вт
Абсолютно максимальное напряжение затвора:		30 В
Примечания:		HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel