2N5551 to-92 бип (0,6а 180в NPN) транзистор

Транзисторы 2N5551 кремниевые, высокочастотные,биполярный

Постоянная рассеиваемая мощность (Рк т max) — 0,650 Вт.
Предельная частота коэффициента передачи тока (fh21э) транзистора для схем с общим эмиттером — 80 МГц
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер: 160 В.
Максимальное напряжение коллектор — база — 180 В.
Максимальное напряжение эмиттер — база — 6 В.
Максимальный постоянный ток коллектора — 0,6А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50 мА, базы 5 мА — не выше 0,5 В.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50 мА, базы 5 мА — не выше 1 В.
Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды +25° по Цельсию и напряжению коллектор-база 180 В. не более 0,1 мА.
Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 4 В не более — 0,1 мА.
Корпус: TO-92

Тип корпуса: to-92